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武漢科思特電化學(xué)工作站

武漢科思特電化學(xué)工作站

簡(jiǎn)要描述:武漢科思特電化學(xué)工作站CS300H采用雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。

產(chǎn)品型號(hào): CS300H

所屬分類:武漢科思特電化學(xué)工作站

更新時(shí)間:2024-10-10

廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

詳情介紹
品牌CorrTest/科思特電位精度0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
恒電位范圍±2.0v電流范圍2nA~2AmA
交流阻抗頻率范圍無Hz電流精度0.1%×滿量程讀數(shù)
產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)價(jià)格區(qū)間面議
儀器種類電化學(xué)工作站應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子
恒電位控制范圍±10V電位控制精度0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV
電位靈敏度10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)
參比電極輸入阻抗1012Ω||20pF槽壓輸出±21V (可擴(kuò)展至±200V)
CV和LSV掃描速度0.001mV~10000V/sCA和CC脈沖寬度0.0001~65000s
SWV頻率0.001~100KHzAD數(shù)據(jù)采集16bit@1MHz,20bit @1KHz
DA分辨率16bit通訊接口USB2.0
外形尺寸(cm)36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)恒電流控制范圍±2.0A
電流控制精度0.1%×滿量程讀數(shù)電流靈敏度1pA
電流量程2nA~2A, 共10檔最大輸出電流2.0A
電流掃描增量1mA @1A/mS電位掃描電位增量0.076mV @1V/mS
DPV和NPV脈沖寬度0.0001~1000sCV的最小電位增量0.075mV
電流與電位量程自動(dòng)設(shè)置低通濾波器 8段可編程
儀器重量6.5Kg

一、產(chǎn)品介紹

武漢科思特電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì),具有出色的穩(wěn)定性和度,*硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。

◆應(yīng)用

(1)電合成、電沉積(電鍍)、陽氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;

(2)電化學(xué)分析研究;

(3)能源材料(鋰離子電池、太陽能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等)、*功能材料以及傳感器的性能研究;

(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);

(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。

硬件特點(diǎn)

雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器

高帶寬高輸入阻抗的放大器

內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器

高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)

電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴(kuò)展至±200V)

電流控制范圍:±2.0A(可擴(kuò)展至20A)

電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA(可延伸至100fA)

軟件特點(diǎn)

①數(shù)據(jù)分析

伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等;

化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

②實(shí)時(shí)存儲(chǔ)

CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。

③定時(shí)測(cè)量

CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能,對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,為實(shí)驗(yàn)提供方便。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

①化曲線

具有線性化和Tafel化曲線測(cè)量功能,用戶可設(shè)定循環(huán)化曲線的陽回掃電流(鈍化膜擊穿電流),來確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位,評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析化曲線,可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。

②伏安分析

能完成線性掃描伏安(LSV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯伏安(SCV)、方波伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)、交流伏安(ACV)、溶出伏安等多種電分析方法,集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。

③電化學(xué)噪聲

采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動(dòng),可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開裂等局部腐蝕研究。通過噪聲譜分析,可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長(zhǎng)和死亡過程?;谠肼曤娮韬忘c(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算,也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。

④功率擴(kuò)展

CS系列電化學(xué)工作站的電流控制范圍為±2.0A,槽壓輸出≥21V,可滿足燃料動(dòng)力電池、大功率電池充放電、電化學(xué)電解或電沉積等領(lǐng)域的需求。采用專用的功率擴(kuò)展器,大輸出電流可達(dá)20A,槽壓±200V。

⑤全浮地測(cè)量

武漢科思特電化學(xué)工作站CS系列采用全浮地式工作電,可用于工作電本身接地體系的電化學(xué)研究,如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試(釜體接地),大地中金屬構(gòu)件(橋梁、混凝土鋼筋)的在線腐蝕研究等。

⑥光電測(cè)試模塊

CS電化學(xué)工作站可以與光強(qiáng)計(jì)、分光光度計(jì)聯(lián)用,用于光電化學(xué)測(cè)量,在進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量的同時(shí)記錄光電流或光譜響應(yīng)信號(hào)。

⑦自定義方法

支持用戶自定義組合測(cè)量,用戶可以設(shè)定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試,用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量;

提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例,方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法;

提供用戶自定義腳本編寫范例,用于實(shí)現(xiàn)您*的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

硬件參數(shù)指標(biāo)

恒電位控制范圍:±10V

恒電流控制范圍:±2.0A

電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV

電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)

電位靈敏度:10μV(>100Hz),3μV(<10Hz)

電流靈敏度:1pA

電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

電流量程:2nA~2A,共10檔

參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

大輸出電流:2.0A

槽壓輸出:±21V(可擴(kuò)展至±200V)

電流掃描增量:1mA@1A/mS

CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s

電位掃描電位增量:0.076mV@1V/mS

CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s

DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s

SWV頻率:0.001~100KHz

CV的小電位增量:0.075mV

AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit@1KHz

電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置

DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS

低通濾波器:8段可編程

通訊接口:USB2.0

儀器重量:6.5Kg

外形尺寸(cm):36.4(W)X32.0(D)X16.0(H)



配置:

1)儀器主機(jī)1臺(tái)

2)CS Studio測(cè)試與分析軟件1套

3)模擬電解池1個(gè)

4)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條

5)電電纜線1條

6)電腦(選配*)

二、功能方法

CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較

功能方法

CS150H

CS300H

CS310H

CS350H

穩(wěn)態(tài)化

開路電位(OCP)

恒電位化(i-t曲線)

恒電流化

動(dòng)電位掃描(Tafel曲線)

動(dòng)電流掃描(DGP)

電位掃描-階躍




暫態(tài)化

任意恒電位階梯波

任意恒電流階梯波

恒電位階躍(VSTEP)

恒電流階躍(ISTEP)

計(jì)時(shí)分析

計(jì)時(shí)電位法(CP)


計(jì)時(shí)電流法(CA)


計(jì)時(shí)電量法(CC)


伏安分析

線性掃描伏安(LSV)

線性循環(huán)伏安(CV)

階梯循環(huán)伏安(SCV)



方波伏安(SWV)



差分脈沖伏安(DPV)



常規(guī)脈沖伏安(NPV)



差分常規(guī)脈沖伏安(DNPV)



交流伏安(ACV)



二次諧波交流伏安(SHACV)



傅里葉變換交流伏安(FTACV)



電流檢測(cè)

差分脈沖電流檢測(cè)(DPA)




雙差分脈沖電流檢測(cè)(DDPA)




三脈沖電流檢測(cè)(TPA)




積分脈沖電流檢測(cè)(IPAD)




溶出伏安

電位溶出分析(PSA)



線性掃描溶出伏安(LSSV)



階梯溶出伏安(SCSV)



方波溶出伏安(SWSV)



差分脈沖溶出伏安(DPSV)



常規(guī)脈沖溶出伏安(NPSV)



差分常規(guī)脈沖溶出伏安(DNPSV)



交流阻抗

阻抗-頻率掃描



阻抗-時(shí)間掃描



阻抗-電位掃描(Mott-Schottky曲線)



充放電測(cè)試

電池充放電

恒電流充放電(GCD)

恒電位充放電

恒電位間歇滴定技術(shù)(PITT)

恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT)

雙恒測(cè)量

氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)





盤環(huán)電測(cè)試





擴(kuò)展測(cè)量

電化學(xué)噪聲(EN)

數(shù)字記錄儀

電化學(xué)溶解/沉積

控制電位電解庫倫法(BE)

動(dòng)電位再活化法(EPR)

溶液電阻測(cè)量

循環(huán)化曲線(CPP)


注:

*氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測(cè)試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350雙恒電位儀。

*光電測(cè)量功能用戶選配。

*產(chǎn)品3年質(zhì)保。



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