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簡(jiǎn)要描述：武漢科思特電化學(xué)工作站：±2A電流范圍（可擴(kuò)展至5A，20A）；±10V電壓范圍（可擴(kuò)展至50V）；±21V槽壓范圍（可擴(kuò)展至200V）；全浮地式測(cè)量；自由組合測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)： CS150H
所屬分類：武漢科思特電化學(xué)工作站
更新時(shí)間：2024-10-10
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
| 品牌 | CorrTest/科思特 | 電位精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
|---|---|---|---|
| 恒電位范圍 | ±2.0v | 電流范圍 | 2nA～2AmA |
| 電流精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 電化學(xué)工作站 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 | 恒電位控制范圍 | ±10V |
| 電位控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電位靈敏度 | 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
| 電位上升時(shí)間 | ﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
| 槽壓輸出 | ±21V （可擴(kuò)展至±200V) | CV和LSV掃描速度 | 0.001mV～10000V/s |
| CA和CC脈沖寬度 | 0.0001～65000s | SWV頻率 | 0.001～100KHz |
| AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@1MHz，20bit @1KHz | DA分辨率 | 16bit |
| 建立時(shí)間 | 1μS | 通訊接口 | USB2.0 |
| 外形尺寸（cm） | 36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H) | 恒電流控制范圍 | ±2.0A |
| 電流控制精度 | 0.1%×滿量程讀數(shù) | 電流靈敏度 | 1pA |
| 電流量程 | 2nA～2A, 共10檔 | 最大輸出電流 | 2.0A |
| 電流掃描增量 | 1mA @1A/mS | 電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
| DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001～1000s | CV的最小電位增量 | 0.075mV |
| 電流與電位量程 | 自動(dòng)設(shè)置 | 低通濾波器 | 8段可編程 |
| 儀器重量 | 6.5Kg |
武漢科思特電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì)，具有出色的穩(wěn)定性和度，*硬件和功能完善的軟件，為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺(tái)。
●應(yīng)用
（1）電合成、電沉積（電鍍）、陽氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究；
（2）電化學(xué)分析研究；
（3）能源材料（鋰離子電池、太陽能電池、燃料動(dòng)力電池和超級(jí)電容器等）、*功能材料以及傳感器的性能研究；
（4）金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
（5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
●硬件特點(diǎn)
雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit/高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
高帶寬高輸入阻抗的放大器
內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
電壓控制范圍：±10V，槽壓為±21V（可擴(kuò)展至±200V）
電流控制范圍：±2.0A（可擴(kuò)展至20A）
電位分辨率：10μV，電流分辨率：1pA（可延伸至100fA）
●軟件特點(diǎn)
①數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算，計(jì)算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等；
化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析，計(jì)算Tafel斜率ba，bc，腐蝕電流密度icorr，限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等，還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
②實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
CS Studio實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù)，即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷，中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③定時(shí)測(cè)量
CS Studio測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量功能，對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí)，可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間，讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量，為實(shí)驗(yàn)提供方便。
●技術(shù)優(yōu)勢(shì)
①化曲線
具有線性化和Tafel化曲線測(cè)量功能，用戶可設(shè)定循環(huán)化曲線的陽回掃電流（鈍化膜擊穿電流），來確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護(hù)電位，評(píng)價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線性擬合算法解析化曲線，可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評(píng)價(jià)。
②伏安分析
能完成線性掃描伏安（LSV）、循環(huán)伏安（CV）、階梯伏安（SCV）、方波伏安（SWV）、差分脈沖伏安（DPV）、交流伏安（ACV）、溶出伏安等多種電分析方法，集成峰面積、峰電流計(jì)算和標(biāo)準(zhǔn)曲線分析功能。
③電化學(xué)噪聲
采用高阻跟隨器和零阻電流計(jì)測(cè)量腐蝕體系自發(fā)的電位與電流波動(dòng)，可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應(yīng)力腐蝕開裂等局部腐蝕研究。通過噪聲譜分析，可評(píng)估亞穩(wěn)態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導(dǎo)、生長和死亡過程。基于噪聲電阻和點(diǎn)蝕指數(shù)計(jì)算，也可用于局部腐蝕監(jiān)測(cè)。
④功率擴(kuò)展
CS系列電化學(xué)工作站的電流控制范圍為±2.0A，槽壓輸出≥21V，可滿足燃料動(dòng)力電池、大功率電池充放電、電化學(xué)電解或電沉積等領(lǐng)域的需求。采用專用的功率擴(kuò)展器，大輸出電流可達(dá)20A，槽壓±200V。
⑤全浮地測(cè)量
CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電，可用于工作電本身接地體系的電化學(xué)研究，如用于高壓釜電化學(xué)測(cè)試（釜體接地），大地中金屬構(gòu)件（橋梁、混凝土鋼筋）的在線腐蝕研究等。
⑥光電測(cè)試模塊
武漢科思特電化學(xué)工作站可以與光強(qiáng)計(jì)、分光光度計(jì)聯(lián)用，用于光電化學(xué)測(cè)量，在進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量的同時(shí)記錄光電流或光譜響應(yīng)信號(hào)。
⑦自定義方法
支持用戶自定義組合測(cè)量，用戶可以設(shè)定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測(cè)試方法或多種方法的組合測(cè)試，用于無人值守下的定時(shí)自動(dòng)測(cè)量；
提供API通用接口函數(shù)和開發(fā)實(shí)例，方便用戶二次開發(fā)和自定義測(cè)試方法；
提供用戶自定義腳本編寫范例，用于實(shí)現(xiàn)您*的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)。
硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位控制范圍：±10V | 恒電流控制范圍：±2.0A |
電位控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV | 電流控制精度：0.1%×滿量程讀數(shù) |
電位靈敏度：10μV(>100Hz),3μV(<10Hz) | 電流靈敏度：1pA |
電位上升時(shí)間：﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) | 電流量程：2nA～2A,共10檔 |
參比電輸入阻抗：1012Ω||20pF | 大輸出電流：2.0A |
槽壓輸出：±21V（可擴(kuò)展至±200V) | 電流掃描增量：1mA@1A/mS |
CV和LSV掃描速度：0.001mV～10000V/s | 電位掃描電位增量：0.076mV@1V/mS |
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s | DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s |
SWV頻率：0.001～100KHz | CV的小電位增量：0.075mV |
AD數(shù)據(jù)采集：16bit@1MHz，20bit@1KHz | 電流與電位量程：自動(dòng)設(shè)置 |
DA分辨率：16bit，建立時(shí)間：1μS | 低通濾波器：8段可編程 |
通訊接口：USB2.0 | 儀器重量：6.5Kg |
外形尺寸（cm）：36.4(W)X32.0(D)X16.0(H) |
配置：
1）儀器主機(jī)1臺(tái)
2）CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
3）模擬電解池1個(gè)
4）電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
5）電電纜線1條
6）電腦（選配*）
CS單通道系列不同型號(hào)功能方法比較
功能方法 | CS150H | CS300H | CS310H | CS350H | |
穩(wěn)態(tài)化 | 開路電位（OCP） | ● | ● | ● | ● |
恒電位化（i-t曲線） | ● | ● | ● | ● | |
恒電流化 | ● | ● | ● | ● | |
動(dòng)電位掃描（Tafel曲線） | ● | ● | ● | ● | |
動(dòng)電流掃描（DGP） | ● | ● | ● | ● | |
電位掃描-階躍 | ● | ||||
暫態(tài)化 | 任意恒電位階梯波 | ● | ● | ● | ● |
任意恒電流階梯波 | ● | ● | ● | ● | |
恒電位階躍（VSTEP） | ● | ● | ● | ● | |
恒電流階躍（ISTEP） | ● | ● | ● | ● | |
計(jì)時(shí)分析 | 計(jì)時(shí)電位法（CP） | ● | ● | ● | |
計(jì)時(shí)電流法（CA） | ● | ● | ● | ||
計(jì)時(shí)電量法（CC） | ● | ● | ● | ||
伏安分析 | 線性掃描伏安（LSV） | ● | ● | ● | ● |
線性循環(huán)伏安（CV） | ● | ● | ● | ● | |
階梯循環(huán)伏安（SCV） | ● | ● | |||
方波伏安（SWV） | ● | ● | |||
差分脈沖伏安（DPV） | ● | ● | |||
常規(guī)脈沖伏安（NPV） | ● | ● | |||
差分常規(guī)脈沖伏安（DNPV） | ● | ● | |||
交流伏安（ACV） | ● | ● | |||
二次諧波交流伏安（SHACV） | ● | ● | |||
傅里葉變換交流伏安（FTACV） | ● | ● | |||
電流檢測(cè) | 差分脈沖電流檢測(cè)（DPA） | ● | |||
雙差分脈沖電流檢測(cè)（DDPA） | ● | ||||
三脈沖電流檢測(cè)（TPA） | ● | ||||
積分脈沖電流檢測(cè)（IPAD） | ● | ||||
溶出伏安 | 電位溶出分析（PSA） | ● | ● | ||
線性掃描溶出伏安（LSSV） | ● | ● | |||
階梯溶出伏安（SCSV） | ● | ● | |||
方波溶出伏安（SWSV） | ● | ● | |||
差分脈沖溶出伏安（DPSV） | ● | ● | |||
常規(guī)脈沖溶出伏安（NPSV） | ● | ● | |||
差分常規(guī)脈沖溶出伏安（DNPSV） | ● | ● | |||
交流阻抗 | 阻抗-頻率掃描 | ● | ● | ||
阻抗-時(shí)間掃描 | ● | ● | |||
阻抗-電位掃描（Mott-Schottky曲線） | ● | ● | |||
充放電測(cè)試 | 電池充放電 | ● | ● | ● | ● |
恒電流充放電（GCD） | ● | ● | ● | ● | |
恒電位充放電 | ● | ● | ● | ● | |
恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT） | ● | ● | ● | ● | |
恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT） | ● | ● | ● | ● | |
雙恒測(cè)量 | 氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT） | ||||
盤環(huán)電測(cè)試 | |||||
擴(kuò)展測(cè)量 | 電化學(xué)噪聲（EN） | ● | ● | ● | ● |
數(shù)字記錄儀 | ● | ● | ● | ● | |
電化學(xué)溶解/沉積 | ● | ● | ● | ● | |
控制電位電解庫倫法（BE） | ● | ● | ● | ● | |
動(dòng)電位再活化法（EPR） | ● | ● | ● | ● | |
溶液電阻測(cè)量 | ● | ● | ● | ● | |
循環(huán)化曲線（CPP） | ● | ● | ● | ● | |
注：
*氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測(cè)試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350雙恒電位儀。
*光電測(cè)量功能用戶選配。
*產(chǎn)品3年質(zhì)保。
地址：北京市房山區(qū)長陽萬興路86號(hào)-A529
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